近日，中国科学院上海高等研究院联合晋能清洁能源科技股份公司，在新型金属氧化物/硅异质结太阳电池研究中取得进展，相关结果以“Interfacial Behavior and Stability Analysis of p-Type Crystalline Silicon Solar Cells Based on Hole-Selective MoOX/Metal Contacts”为题发表在《Advanced Materials》子刊《Solar RRL》上（DOI: 10.1002/solr.201900274）。
光生载流子的空间有效分离和收集是晶体硅以及其他类型光伏器件的核心问题之一。在晶体硅表面形成载流子选择性接触层，允许一种载流子通过，而对另一种载流子起阻挡作用。相对传统的扩散掺杂技术，选择性接触层可以减缓重掺杂带来的不利因素（如俄歇复合、带宽变窄）。基于载流子选择性接触原理，非晶硅／晶体硅异质结（Heterojunction with Intrinsic Thin layer，HJT）电池已实现规模化生产。高研院研发团队与晋能清洁能源科技股份公司联合开发的HJT产业技术已在6英寸电池片上获得24.7 %的效率。然而，HJT电池还面临着如热稳定性差、寄生光学吸收等问题。
着眼于此，高研院李东栋研究员、殷敏副研究员及项目研发团队在p型晶体硅背面构筑了Si/MoOX/Al（x<3）异质结全背接触电池（图1a），系统论证了MoOX的空穴传输性能、钝化性能及界面稳定性。考虑到金属Ag和Cu在长波长有更高的反射率，进一步构建了p-Si/MoOX/Ag和p-Si/MoOX/Cu电池，分别得到了18.74%和17.61%的转换效率，高于p-Si/MoOX/Al电池的16.36%。p-Si/MoOX/Ag电池的大面积电池（246.21 cm2）效率亦达18.49%。